水固协同治理及资源循环闭环技术

ISNA® 厌氧氨氧化工艺 / WH-CADF® 深度除氟工艺 / RF-HF™ 资源闭环回收技术

水固协同治理及资源循环闭环技术

ISNA® 厌氧氨氧化工艺 / WH-CADF® 深度除氟工艺 / RF-HF™ 资源闭环回收技术

半导体行业超纯水系统工艺说明 | 沃乐科技

半导体行业超纯水系统(WH-UPW)

工艺概述

半导体制造是对水质要求最严苛的工业场景之一,晶圆清洗、刻蚀、光刻、化学药剂稀释、设备冷却等核心工序均大量使用超纯水(UPW, UltraPure Water)。水中微量的离子、颗粒、TOC、溶解气体、细菌、金属杂质等都会直接造成晶圆良率下降、电路短路、器件性能漂移。半导体行业超纯水系统,就是将原水(市政自来水/中水)经过多级净化,生产满足半导体厂不同工艺等级的超纯水,并实现水质连续监测、循环输送与回用的整套水处理工艺系统。

行业指标参考(12 英寸晶圆厂主流 UPW 出水指标)

18.2 MΩ·cm 电阻率(25°C)— 理论极限值
< 0.5–1 μg/L 总有机碳(TOC)
< 1 个/mL 颗粒(≥ 0.05 μm)
< 0.5–1 μg/L 溶解氧(DO)
< 0.05–0.1 μg/L 总硅
ppt 级 金属离子(Na、K、Fe、Cu 等)

系统特点

极致杂质控制
控制级别从 ppm 级别下降到 ppt(ng/L)级别,对微量金属、亚微米颗粒高度敏感
专用聚合材质
与水接触部件采用Clean-PVC、SS316L-EP、PVDF、PFA,避免金属及TOC溶出,减少二次污染
连续在线监测
24h 不间断水质监控,超标自动报警、联锁
高可靠性要求
半导体产线不能停水,系统一般设置备用设备、双路供电、应急水箱
节水循环回用
晶圆厂水耗巨大,工艺废水回收是现代半导体厂标配

工艺原理

半导体超纯水系统通常分为预处理段、RO一次脱盐段、EDI+抛光混床精处理段、UPW循环输送与回用段四大模块,逐级去除水中杂质:

模块一:预处理系统

  • 由多介质过滤器(MMF)、活性炭过滤器(ACF)、超滤及精密保安过滤器组成。
  • 目的是保护后端反渗透膜,去除原水中悬浮物、胶体、余氯、有机物、硬度。

模块二:反渗透 RO 脱盐段

  • 采用一级/二级反渗透,去除水中绝大部分离子、胶体、大分子有机物,作为超纯水的前置脱盐单元。

模块三:精处理单元

  • RO产水进入EDI连续电除盐,再经过抛光混床(Polishing Mixed Bed) 深度离子去除,把电阻率提升至18.2 MΩ・cm。
  • EDI:连续去除离子,不需要酸碱再生;
  • 抛光混床:终端离子精处理,采用阴阳树脂混合,作为离子杂质的最后一道把关, 是半导体UPW标志性单元;
  • 配套:UV氧化(TOC降解)、脱气膜(去除DO)、终端超滤(截留颗粒、细菌)。

模块四:超纯水循环回用

  • 超纯水以"水箱 + 循环泵 + 管路"构成的闭环循环管路输送,水质不滞留、不劣化。
  • 循环管路配套在线仪表:电阻率、TOC、溶解氧(DO)、颗粒计数器、pH、硅、金属离子,实现全参数实时水质保障。

超纯水制备工艺流程(主流工艺)

TMAH废水专用生化处理工艺技术 | 沃乐科技

案例应用

绍兴某集成电路公司 下一代异构集成封装技术DDIC项目纯废水工程

  • 处理工艺:有机废水经缺氧+好氧+MBR达标排放:TMAH废液预处理后接入有机系统;酸碱废水中和外排;磨化废水经UF+ACF+RO回用。半导体超纯水系统(纯水经EDI+抛光混床+精密过滤制备)
  • 出水标准:pH 6~9,COD<400mg/L,BOD5<200mg/L,SS<100mg/L等标准
  • 纯水水质指标:电阻率≥18.0MΩ·cm,水温21±2℃,TOC<20PPB,溶解SiO2<10PPB
  • 工艺优势:分质分流,TMAH废液专项预处理保障生化稳定;磨化废水回用;抗冲击能力强、水质稳定、节水降耗、运维便捷
TMAH废水专用生化处理工艺技术 | 沃乐科技

衢州某半导体材料公司 半导体专用设备智造项目纯废水工程

  • 处理工艺:车间废水采用分质分类收集,含铬、含镍、含油、酸性废水分别预处理后汇入综合污水站,经缺氧+好氧+二沉池处理达标外排;一般清洗废水经深度处理后中水回用。半导体行业超纯水系统(采用UF+两级RO+EDI+抛光树脂组合工艺制备高纯水)
  • 出水标准:《电镀水污染物排放标准》(DB33/2260-2020)等标准
  • 纯水水质指标:超纯水EDI电阻率≥18.25MΩ·cm,二级RO水电阻率≥0.5MΩ·cm
  • 工艺优势:分质预处理+综合生化组合工艺,搭配中水回用,实现废水资源化,节能经济